2026年4月23日，美国新创人工智能和存储技术厂商NEO Semiconductor正式宣布，其3D X-DRAM技术已成功完成概念验证（Proof-of-Concept，POC），证明这种新型3D堆叠内存可以利用现有的3D NAND ...

NEO的3D X-DRAM架构大量借鉴了3D NAND制造技术。据该公司称，概念验证芯片采用成熟的3D NAND工艺制造，包括现有设备和材料。这一点至关重要，因为先进存储器开发的主要制约因素之一并非设计创新，而是 制造成本 和工艺兼容性。

IT之家 4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO ...

根据最近提交的监管文件,Indie Semiconductor, Inc. (NASDAQ:INDI)总裁兼董事Ichiro Aoki于2026年4月27日报告了公司股票的出售交易。 Aoki出售了50,000股Indie Semiconductor A类普通股,总价值为201,965美元。这些股票的交易价格区间为4.00美元至4.11美元,加权平均价格为每股4.0393美元。此次出售是根据Aok ...

3月26日，美国GlobalFoundries U.S. Inc. of Malta, New York向美国ITC提出337立案调查申请，主张对美出口、在美进口和在美销售的该产品违反了美国337条款（侵权美国注册专利号8,330,235、8,507,983、9,093,425、9,865,546、10,062,748、10,707,167），请求美国ITC发布有限排除令、禁止令。

2月15日，英特尔公司和领先的模拟半导体解决方案代工厂Tower半导体（Tower Semiconductor）宣布达成最终协议。根据协议，英特尔将以每股53美元的现金收购Tower半导体（Tower Semiconductor），总企业价值约为54亿美元。此收购大力推进了英特尔的IDM 2.0战略，进一步扩大 ...

韩国首尔--(BUSINESS WIRE)--(美国商业资讯)-- Seoul Semiconductor Co., Ltd.(KOSDAQ:046890)作为一家全球领先的光电半导体制造公司，首次实现了成为全球背光设备市场第一名的壮举。 根据来自市场研究公司Omdia的数据，Seoul Semiconductor占有了全球背光LED市场销售份额的16.5% ...

IT之家4 月 24 日消息，3D 存储半导体 IP 企业 NEO Semiconductor 美国加州当地时间 23 日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造，证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。 NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久，读写延迟＜10ns，85℃ 下数据保持时间＞1s（IT之家注：这一数据 ...

智通财经APP获悉，作为人工智能的最直接受益者，芯片制造商股价在2023年暴涨，美国半导体类公司的股票录得十多年来最佳年度表现。... 智通财经APP获悉，周五，美股三大指数以小幅收跌结束了2023年全年交易。在整个2023年，道指上涨13.7%，标普500指数上... 智通财经APP获悉，中信证券发布研究报告称，展望2024年，预计全球半导体行业将实现双位数增长，并大概率在2025年延续，同时A ...

数十年来，台积电为台湾构筑了一道“硅盾”。如今，出于商业利益与地缘政治的双重考量，台积电正在加码美国市场。 台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.)的美国时刻已经到来。 多年来，作为全球最大的先进制程电脑芯片代工企业，台积电的高管们一直在 ...

近日，专注于3D存储半导体IP研发的NEO Semiconductor公司宣布，其自主研发的X-DRAM技术取得重大突破，成功完成概念验证芯片制造。这一创新成果表明，基于3D堆叠架构的X-DRAM可直接利用现有3D NAND闪存生产线生产，为半导体制造工艺的兼容性开辟了新路径。

一位名为"Dr. Semiconductor"的YouTuber，因AI需求推高内存价格，萌生了在自家后院自制DRAM的想法。他将棚屋改造成简易洁净室，完成了光刻、蚀刻、磷掺杂等工艺，制作出5×4阵列的电容与晶体管样品芯片。测试显示，各存储单元功能正常，电容可保持12.3皮法电荷，但充电保持时间仅约4毫秒，远低于商用内存的64毫秒。尽管性能有限，却是迄今已知首次在家中成功制造DRAM的案例。